您當前位置: 首頁>新品速遞

大功率GaN快充|ZVS反激電源控制芯片RM6801ND

來源:亞成微電子 發布時間:2021-07-19 閱讀次數:

強制ZVS反激式電源控制芯片RM6801ND

 

高效率、大功率

■專有ZVS技術降低MOSFET開關損耗,改善EMI特性;

■支持CCM/QR混合模式;

■支持最大130KHz工作頻率;

■專有驅動技術,可直接驅動E-Mode GaN功率器件,省去外置驅動器件。

 

超低待機功耗

■ 內置700V高壓啟動;

■ 集成X-CAP放電功能;

■ 低啟動電流(2uA),低工作電流;

■ 待機功耗<65mW。

 

優異的性能

■ 內置特有抖頻技術改善EMI;

■ Burst Mode去噪音;

■ 集成斜坡補償及ZVS高低壓補償功能;

■ 集成AC輸入Brown out/in功能;

■ 外置OVP保護,具有輸出肖特基短路保護/CS短路保護;

■ 內置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多種保護。


原理圖
\

 


產品系列

 

型號 反饋形式 輸出功率 封裝 功率管
RM6801ND SSR+ZVS 100W SSOP-10 外置GaN

 

天天爱天天做天天做天天吃中-日本片在线看的免费网站